一🦹♂️👨🏽🏫、個人簡介：
張立瑤，講師，上海市揚帆人才計劃🫅🏿。
二、主要學習及工作經歷
2017.11-至今，上海理工大學，講師
2017.02-2017.05，荷蘭埃因霍芬理工大學，訪問學者2015.04-2017.10，中科院上海微系統與信息技術研究所💙，博士後
2014.07-2015.03，中國電子科技集團公司第五十五研究所，工程師
2013.07-2014.06，中科院上海微系統與信息技術研究所，助理研究員
2008.09-2013.06🙎🏻♀️，中科院上海技術物理研究所⚠，微電子學與固體電子學👌，博士
2004.09-2008.06，華中科技大學👰🏽♂️，光信息科學與技術🙎，學士
三👨🍼👱、科研項目
1、主持：
(1) 2019.5-2022.4上海市揚帆計劃🫦，20萬
(2) 2018.1-2019.12國家重點實驗室開放課題✒️，10萬
2、參與🧲：
(1) 2014.1-2018.7🌃，973計劃👉🏽，1200萬
(2) 2014.1-2018.12☢️，國家自然基金重點項目，260萬
(3) 2015.7-2015.12，華為技術有限公司橫向課題🛜，64萬
四👶🏿、科研成果
近三年一作⬆️、通訊發表主要論文如下：
L. Zhang, Y. Song, Q. Chen, et al. InPBi quantum dots for super-luminescence diodes. Nanomaterials 8.9 (2018): 705. ( IF: 3.504 )
L. Zhang, M. W, X. Chen, et al. Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix, Scientific Reports 7 (2017): 12278. ( IF: 4.122 )
L. Zhang, W. Pan, X. W, et al. Indium Phosphide Bismide, Progress in Metallic Alloys. InTech, ISBN (978-953-51-2697-3), Chapter 8, 2016.（專著）
W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy, Semiconductor Science and Technology 32 (2016): 015007.（通訊作者）( IF: 2.28 )
W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Applied Physics 120 (2016): 105702. （通訊作者）( IF: 2.176 )
五、主要學術活動
1🧘🏽♂️🤹🏿♀️、2019年起👰🏼♀️，擔任《Applied surface science》（IF👨🏼🦱🧑🏼🤝🧑🏼：4.439）的審稿人
2、2018年起，擔任《Superlattices and Microstructures》（IF：2.099）的審稿人
3、2016.7，“7th International Workshop on Bi-containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices”組委會成員
六、研究方向
主要從事III-V族及IV族光電子材料和器件（激光器、LED🖕、探測器等）的材料生長、表征、器件工藝及理論計算等。
七、聯系方式
招生要求：物理🌷、（光）電子相關專業，對半導體物理👨🏿🌾、固體物理有較好的功底。
E-mail：lyzhang@usst.edu.cn。
